2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[22p-B204-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2022年9月22日(木) 13:30 〜 18:15 B204 (B204)

加藤 正史(名工大)

15:00 〜 15:15

[22p-B204-7] 超高圧アニールによるMgイオン注入p型GaNのルミネッセンス評価

嶋 紘平1、櫻井 秀樹2,3,4、石橋 章司5、上殿 明良6、Bockowski Michal2,7、須田 淳2,3、加地 徹2、秩父 重英1 (1.東北大多元研、2.名大IMaSS、3.名大工、4.アルバック先進研、5.産総研CD-FMat、6.筑波大数物系、7.IHPP PAS)

キーワード:窒化ガリウム、Mgイオン注入、フォトルミネッセンス