[22p-B204-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[22p-B204-8] Mg熱拡散法を用いた縦型GaN p-n接合ダイオードの作製

〇伊藤 佑太¹、川崎 晟也¹、権 熊¹、島村 健矢¹、成田 周平¹、渡邉 浩崇²、出来 真斗³、新田 州吾²、本田 善央²、田中 敦之²、天野 浩^2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大VBL、4.名大ARC)

キーワード：イオン注入、熱拡散

GaNの局所的p型伝導制御は縦型パワーデバイス作製において必要不可欠な技術である。我々はMgイオン注入法の代替としてMgGaN層を拡散源に用いたMg熱拡散法に着目している。熱拡散法はイオン注入法に比べ不純物添加時に形成される欠陥が少ないため、大気圧下での熱処理でp型GaNの作製が可能である。本研究では、Mg熱拡散法を用いたp-n接合ダイオード (PND) の作製、評価を行ったので報告する。