[22p-C105-1~17] 1.6 超音波

△ [22p-C105-10] SRO/Pt/Si基板上のTa₂O₅圧電薄膜の低レートにおける成膜と評価

〇(M2)松浦 佳祐¹、鈴木 雅視¹、垣尾 省司¹、小寺 正徳²、舟窪 浩² (1.山梨大、2.東工大)

キーワード：五酸化タンタル、バルク弾性波、単結晶

RFマグネトロンスパッタリング装置を用いてPt/Si, SRO/Pt/Si基板上に成膜したTa₂O₅薄膜の結晶構造及びBAW特性の評価を行った．
極点図からβ-Ta₂O₅がエピタキシャル成長しており，成膜レートを低くすると膜厚の増加に伴い結晶性の高い膜が形成されることが分かった．HBAR特性から，β-Ta₂O₅のk_t²は一軸配向膜に比べ大きく、結晶性が高くなるとk_t²も大きくなった．