[22p-C200-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [22p-C200-11] AlGaN系UV-Bレーザダイオード用誘電体多層膜反射鏡

〇薮谷 歩武¹、長谷川 亮太¹、近藤 涼輔¹、松原 衣里¹、岩山 章^1,2、神 好人³、松本 竜弥³、寅丸 雅光³、鳥居 博典⁴、今井 大地¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、岩谷 素顕¹、三宅 秀人² (1.名城大・理工、2.三重大・院・工学研究科、3.株式会社日本製鋼所、4.JSW アフティ株式会社)

キーワード：半導体、レーザー、窒化物

AlGaN系深紫外半導体レーザの光出力の増大には出射面に低反射率誘電体多層膜ミラー、反対面に高反射率DBRを成膜する技術が必要であるが、深紫外領域では光の吸収などの問題があるため最適な材料の開発は十分されていない。前回の発表ではSiO₂/Ta₂O₅ DBRのHRミラーに関して報告した。本報告では、HRおよびARミラーを作製し、その効果を検証した。また、レーザとDBRの界面にAl₂O₃を窓材として用いた効果についても検証した。