[22p-P17-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

[22p-P17-6] Photoluminescence Properties of Regrown GaN on Free-standing GaN Substrate by RF-MBE

〇(M2)Daiki Nakayama¹, Ryo Imamura¹, Tsutomu Araki¹, Shinichiro Mouri¹ (1.Ritsumeikan Univ.)

Keywords:gallium nitride, photoluminescence, molecular beam epitaxy

RF-MBE法は、MOCVD法と比較して水素フリーで低温成長が可能なため、GaNの再成長技術として期待されている手法である。本研究では、基板と同程度以下の転位密度を目指して、HVPE成長自立GaN基板上にRF-MBE法を用いて成長方法を変えてGaN再成長を行い、その発光特性を評価した。PL測定の結果から、成長方法を変えることで下地基板との間で歪の影響をほとんど受けない再成長GaNを得ることに成功した。