2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

10 スピントロニクス・マグネティクス » 10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術

[23a-A205-1~13] 10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術

2022年9月23日(金) 09:00 〜 12:30 A205 (A205)

安藤 裕一郎(京大)、重松 英(京大)

10:45 〜 11:00

[23a-A205-7] 超高速磁化ダイナミクスにおける非マルコフ緩和の効果

今村 裕志1、荒井 礼子1、松本 利映1、山路 俊樹1、塚原 宙1,2 (1.産総研、2.大阪大)

キーワード:超高速スピンダイナミクス、非マルコフ緩和、LLG方程式

近年の実験技術の進歩によってフェムト秒の時間スケールで磁化のダイナミクスを操作・測定することが可能になった。この時間スケールはスピンが感じる熱浴の相関時間と同程度であり、磁化の運動は非マルコフ緩和を含む運動方程式で記述される。我々はGilbert減衰定数が小さいという仮定のもと、任意の相関時間に対する歳差角速度と実効減衰定数の解析的な表現を得ることに成功したので、その結果について報告する。