[23a-B204-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[23a-B204-5] バックバリア層を有するAlGaN / GaN HEMTのチャネル層厚さ依存性

〇伊東 幸風¹、玉井 晟多¹、星 拓也²、後藤 高寛¹、宮本 恭幸¹ (1.東工大、2.NTT先端集積デバイス研)

キーワード：GaN HEMT、バックバリア層、チャネル層

バックバリア層を有するチャネル層の厚さが65nm及び38nmのAlGaN/GaN HEMTを作製した。アイソレーションプロセスでは、表面酸化に起因すると思われる、チャネル層の厚みに依存したダメージが発生し、シート再抵抗や伝達コンダクタンスなどの特性が悪化した。バックバリア層による短チャネル効果の抑制は確認されたが、今回作成したゲート長の範囲では、チャネル層の厚みによる大きな特性変化は見られなかった。