[23a-B204-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[23a-B204-8] 高出力デバイス応用に向けたGaN/3C-SiC on-diamond HEMT構造の作製

〇香川 諒¹、重川 直輝²、梁 剣波²、川村 啓介³、坂井田 佳紀³、大内 澄人³、浦谷 泰基³、清水 康夫⁴、大野 裕⁴、長井 康介⁴ (1.大阪市大工、2.大阪公大工、3.エア・ウォーター（株）、4.東北大金研)

キーワード：放熱、窒化ガリウム、ダイヤモンド

GaN-HEMTsの過度な自己発熱が、デバイス性能や信頼性の劣化が問題となっている。本研究発表では、GaN-HEMTを高い熱伝導率を有するダイヤモンド基板に転送し、ダイヤモンド上に作製した on-diamond HEMTs の放熱特性、電気特性に関して報告する。