[23a-B204-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[23a-B204-9] 表面活性化接合法によるGaN/GaN接合界面の評価

〇(M2)澤井 一樹¹、梁 剣波^1,2、清水 康雄³、大野 裕³、永井 康介³、重川 直輝^1,2 (1.大阪市大院工、2.大阪公大院工、3.東北大金研)

キーワード：表面活性化接合法、窒化ガリウム

GaNは自発分極電荷の符号が異なるGa-faceとN-faceを有する。分極を反平行にした接合を形成することで分極によるバンド構造の変化がより顕著に表れると考えられる。本研究では表面活性化接合法により自立GaN基板を用いてGa-face同士及びN-face同士の接合を作製した。講演ではSTEM観察及び、I-V-T測定によって接合界面を評価した結果について議論する。