[23a-C102-1~8] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[23a-C102-7] キャビティ・フリー多段マイクロ熱電発電デバイスの基板薄層化による出力向上

〇新井 崇平¹、柏崎 翼¹、保科 拓海¹、富田 基裕¹、松木 武雄^1,2、渡邉 孝信¹ (1.早大理工、2.産総研)

キーワード：熱電発電、シリコンワイヤ、熱抵抗

Si基板上に作製される Siナノワイヤを利用したキャビティ・フリー熱電発電デバイスは、単段ではSi基板の寄生熱抵抗が発電性能に影響を与え、多段では配線方式の違いにより発電性能が異なる事が明らかにされている。本研究によりSi基板を薄層化すると多段デバイスでも、発電性能は向上し、特に熱漏れの無いバイレグに優位性がある事が確認された。この結果は多段デバイスの特性を含めた発電性能の向上の指針となるものである。