[23a-C200-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[23a-C200-3] HEATE法によるInGaN/GaN MQW極微細ナノピラーアレイの作製

〇相川 健喜¹、菊池 昭彦^1,2,3 (1.上智大理工、2.上智大フォトニクス研究センター、3.上智大半導体研究所)

キーワード：半導体、ナノピラーアレイ、窒化ガリウム

InGaN/GaN量子井戸ナノ構造は、歪緩和や光取出効率の増大効果などにより発光デバイスの性能向上をもたらす技術として期待されている。我々はGaN系材料の低損傷ナノ加工技術である水素雰囲気異方性エッチング(HEATE)法を提案し、直径9〜1000 nmの位置制御されたInGaN/GaN-MQWナノピラーアレイを作製して室温における発光特性の直径依存性を系統的に調べたので報告する。