[23a-P06-1~28] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

[23a-P06-18] Zn供給成膜によるスパッタGZO膜の低抵抗率化及びフレキシブル基板への応用

〇白數 柊也¹、玉井 勇伍¹、山田 容士¹、舩木 修平¹ (1.島根大自然)

キーワード：酸化亜鉛、薄膜、フレキシブル

スパッタリング法でZnO系透明導電膜を成膜する際、エロ―ジョン領域における面内不均一性やターゲット‒基板間距離 (TS間距離)を離すことによる抵抗率上昇といった課題がある。我々は、Ga添加ZnO (GZO)粉末に金属Zn粉末を添加したターゲットを用いることによる成膜アクセス中へのZnの供給が、室温成膜したGZO膜の低抵抗率化かつ面内均一性の向上に大きく寄与することを明らかにした。そこで本研究では、Zn添加GZO粉末ターゲットを使用しTS間距離を変えて成膜を行うことで、TS間距離の変化による抵抗率の上昇を抑えることが可能か検証した。また本手法の成膜は無加熱で行うため、耐熱性に劣る樹脂製のフレキシブル基板にも同時に成膜し特性を検証した。