[23p-B202-1~13] 17.2 グラフェン

[23p-B202-12] 平坦バンドを有するゼロギャップ半導体の物質設計

〇岡田 晋¹、溝口 知成¹、高 燕林¹、丸山 実那¹、初貝 安弘¹ (1.筑波大数理)

キーワード：グラフェン、ゼロギャップ半導体、平坦バンド

強束縛近似を用いて、拡張されたマティーニ格子系の電子構造を求めた。その結果その電子構造は電子トランスファーのバランスに強く依存することが明らかになった。特に、最近接の電子トランスファーが次近接の２倍以上の時、この格子系はゼロギャップの半導体となり、伝導帯下端もしくは価電子帯上端に平坦バンドが出現する極めて特異な電子状態を有する。このような系は、グラフェンやシリセン等の蜂の巣格子系への部分化学吸着により実現可能であることを密度汎関数理論から明らかにした。