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一般セッション(口頭講演)

[22p-B202-1~17] 17.2 グラフェン

2022年9月22日(木) 13:30 〜 18:00 B202 (B202)

牧英之(慶大)、田畑博史(阪大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:30 〜 13:45

[22p-B202-1] 二次元材料の積層デバイスにおける層間熱輸送

〇掛谷昂平¹、竹井邦晴²、秋田成司²、有江隆之² (1.大阪府大工、2.大阪公大工)

13:45 〜 14:00

[22p-B202-2] 低欠陥、高構造規則性を有する酸化グラフェンの開発

〇畠山一翔¹、津川樹¹、松田潤子²、鯉沼陸央¹、伊田進太郎¹ (1.熊本大学、2.九州大学)

14:00 〜 14:15

△ [22p-B202-3] 界面層の導入によるグラフェン光ゲートダイオード中波長赤外線センサの高性能化

〇嶋谷政彰¹、福島昌一郎¹、小川新平¹ (1.三菱電機)

14:15 〜 14:30

[22p-B202-4] UV露光でパターン化された酸化グラフェン化学マイクロチップ

〇佐野正人¹、海野慈歩²、金澤克樹¹、米中佑太¹、阿部航大²、猪瀬悠貴²、菊池健太¹、大滝真裕¹、阿部すみ麗²、梅津和已²、原和佐²、船木光新² (1.山形大有機材料、2.山形大工)

14:30 〜 14:45

[22p-B202-5] Type-II超格子を用いたグラフェン長波長赤外線検出器の開発

〇福島昌一郎¹、嶋谷政彰¹、小川新平¹ (1.三菱電機（株）)

14:45 〜 15:00

△ [22p-B202-6] 【注目講演】グラフェン発光素子による高空間分解赤外分光

〇中川鉄馬^1,2、志村惟¹、深澤佑介¹、西崎亮佑¹、俣野眞一朗¹、大矢秀真¹、牧英之^1,3 (1.慶大理工、2.早大材研、3.慶大スピン)

15:00 〜 15:15

△ [22p-B202-7] グラフェンナノリボン量子ドット集積化における閉じ込め障壁制御

〇(M1)加藤樹¹、金子俊郎¹、加藤俊顕¹ (1.東北大工)

15:15 〜 15:30

[22p-B202-8] 有機分子修飾グラフェン電界効果トランジスタの特性評価

〇林雅樹¹、生田昂¹、前橋兼三¹ (1.農工大工)

15:30 〜 15:45

[22p-B202-9] 金属フタロシアニン修飾グラフェン FET による二酸化窒素の高感度センシング

〇矢沢直輝¹、生田昂¹、前橋兼三¹ (1.農工大院工)

16:00 〜 16:15

[22p-B202-10] 金属ナノ粒子の蒸着による架橋２層グラフェンラマンスペクトルの変調

〇河瀬裕太¹、多田村充¹、荒木努¹、毛利真一郎¹ (1.立命館大理工)

16:15 〜 16:30

[22p-B202-11] 毛の詳細な動きの検知を目指したフレキシブル触覚圧力センサ

〇中村悠希¹、若林聖史²、本田智子¹、有江隆之¹、秋田成司¹、竹井邦晴¹ (1.大阪公大工、2.大阪府大工)

16:30 〜 16:45

[22p-B202-12] フレキシブル雨センサとリザバー解析による水滴体積検知

〇(B)清宮徳人¹、若林聖史¹、松村紅怜¹、中嶋浩平²、竹井邦晴¹ (1.大阪公大工、2.東京大工)

16:45 〜 17:00

[22p-B202-13] グラフェン/h-BN機械共振器の特異な共振特性

〇(M2)八十島和輝¹、大石竜¹、竹井邦晴²、有江隆之²、秋田成司² (1.大阪府大工、2.大阪公大工)

17:00 〜 17:15

[22p-B202-14] SiC上に形成したグラフェンおよびAu/Tiから成るコプレーナ導波路の特性インピーダンスの評価

〇石田智也¹、佐々木文憲¹、渡邊一世²、吹留博一¹ (1.東北大通研、2.情通機構)

17:15 〜 17:30

△ [22p-B202-15] グラフェン/シリコン太陽電池における熱アニール処理の影響

〇(M2)小野譲暉¹、任皓駿¹ (1.弘前大理工)

17:30 〜 17:45

△ [22p-B202-16] グラフェン/シリコン太陽電池における静電容量-電圧特性及びインピーダンス分光

〇(M1)寺岡真裕¹、小野譲暉¹、任皓駿¹ (1.弘前大理工)

17:45 〜 18:00

△ [22p-B202-17] グラフェン/Si ショットキー型太陽電池における電極とグラフェンの接合に関する研究

〇高橋尚斗¹、大田敦史¹、片岡起也¹、佐藤真¹、スバギョアグス¹、末岡和久¹ (1.北大院情報科学)

一般セッション(口頭講演)

[23a-B202-1~12] 17.2 グラフェン

2022年9月23日(金) 09:00 〜 12:00 B202 (B202)

永瀬雅夫(徳島大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[23a-B202-1] 二酸化炭素を炭素源とする窒化ガリウム上へのグラフェン成長へ向けた検討

〇浅田智浩¹、植野康大¹、薮田翔平¹、荒木努¹、毛利真一郎¹ (1.立命大理工)

09:15 〜 09:30

[23a-B202-2] バリア高さ可変型パワーショットキーダイオード作製に向けた高品質グラフェン/ダイヤモンド積層構造の作製

〇(M2)中水流秋穂¹、畑野敬史¹、生田博志¹、植田研二^1,2 (1.名大院工、2.早大情シス)

09:30 〜 09:45

[23a-B202-3] パーシステントホモロジーを活用したグラフェンのCVD成長過程の画像データ解析

〇小川友以¹、佐藤駿丞²、高村真琴¹、小嗣真人²、谷保芳孝¹ (1.NTT物性科学基礎研、2.東理大)

09:45 〜 10:00

▲ [23a-B202-4] Single-orientation growth of graphene on large-scale single-crystalline metal catalyst with high index facet

〇SHENGNAN WANG¹、 Yoshitaka Taniyasu¹ (1.NTT Basic Research Labs.)

10:00 〜 10:15

[23a-B202-5] hBN/グラフェンヘテロ構造CVD成長におけるエッジ終端の起源

〇影島博之¹、 Wang Shengnan²、日比野浩樹³ (1.島根大院自然、2.NTT物性科学基礎研、3.関西学院大工)

10:15 〜 10:30

[23a-B202-6] 有機Cuを用いたr面サファイア基板上でのグラフェン減圧CVD成長

〇福西康寛¹、村橋知明¹、三田和輝¹、柳瀬優太¹、丸山隆浩¹、成塚重弥¹ (1.名城大理工)

10:30 〜 10:45

△ [23a-B202-7] Ni触媒パターンを用いた転写不要のグラフェン成長に関する研究

〇大田敦史¹、高橋尚斗¹、片岡起也¹、佐藤真¹、スバギョアグス¹、末岡和久¹ (1.北大情報科学院)

10:45 〜 11:00

▲ [23a-B202-8] Clean environment effect on nucleation of twisted graphene islands grown by serial thermal process without air exposure using graphene/SiC template

〇Yao Yao¹、 Taiki Inoue¹、 Makoto Takamura²、 Yoshitaka Taniyasu²、 Yoshihiro Kobayashi¹ (1.Osaka Univ.、2.NTT-BRL)

11:00 〜 11:15

[23a-B202-9] グラフェン形成によるTaC薄膜の超伝導転移温度向上とそのメカニズム

近藤大斗¹、榊原涼太郎¹、林直輝¹、伊藤孝寛²、遠藤彰³、鈴木舞奈佳⁴、石井祐太⁴、若林裕助⁴、〇乗松航¹ (1.名大院工、2.名大SRセ、3.東大物性研、4.東北大理)

11:15 〜 11:30

[23a-B202-10] SiC表面におけるh-BNへのグラフェンヘテロ成長

〇小濱路生¹、米窪和輝¹、杉野秀明¹、渡邊一世²、菅原大樹¹、唐超¹、佐藤昭¹、尾辻泰一¹、吹留博一¹ (1.東北大通研、2.情通機構)

11:30 〜 11:45

▲ [23a-B202-11] Discussion on 1D strain field induced flat bands in graphene and related pseudomagnetic fields

〇Anton Visikovskiy¹、 Satoru Tanaka¹ (1.Kyushu Univ.)

11:45 〜 12:00

[23a-B202-12] 4H-SiC m面上のグラフェン周期リップル構造

〇今村均¹、田中夏帆¹、飯盛拓嗣²、中辻寛³、宮町俊生⁴、小森文夫^3,4、ビシコフスキーアントン¹、田中悟¹ (1.九大院工、2.東大物性研、3.東北大総理工、4.名大未来研)

一般セッション(口頭講演)

[23p-B202-1~13] 17.2 グラフェン

2022年9月23日(金) 13:30 〜 17:00 B202 (B202)

小林慶裕(阪大)、吹留博一(東北大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 13:45

[23p-B202-1] 粘着テープ自動剥離装置を用いたグラフェンメカニカル劈開条件の最適化

〇若藤祐斉¹、増渕覚¹、神谷啓介¹、小野寺桃子¹、張奕勁¹、守谷頼¹、町田友樹¹ (1.東京大学生産技術研究所)

13:45 〜 14:00

[23p-B202-2] 自動転写による100層グラフェンの形成

〇川田和則¹、中村孝子¹、川木俊輔¹、古賀義紀¹、長谷川雅考¹ (1.エアメンブレン)

14:00 〜 14:15

[23p-B202-3] プラズマCVDによる多層グラフェンの合成

〇川木俊輔¹、川田和則¹、中村孝子¹、古賀義紀¹、長谷川雅考¹ (1.（株）エアメンブレン)

14:15 〜 14:30

[23p-B202-4] CVD法によるランダム多層グラフェン合成とその電気特性

〇近藤大雄¹、伏見直樹¹、片岡真紗子¹、乗松正明¹、林賢二郎¹、佐藤信太郎¹ (1.富士通)

14:30 〜 14:45

[23p-B202-5] 多層グラフェンの光学特性

〇鎌田雅博¹、横澤峻元¹、越智太亮¹、佐々木健一²、松井朋裕¹ (1.アンリツ先端研、2.NTT物性研)

14:45 〜 15:00

[23p-B202-6] ランダム積層グラフェンのマイクロ波・赤外光吸収特性に関する研究

〇濱田智之¹、大野隆央¹、奈良純¹ (1.物材機構)

15:00 〜 15:15

[23p-B202-7] 多層グラフェンの広帯域吸収スペクトルにおける層間相互作用・フェルミレベル制御効果

〇池田匠吾¹、菊堂裕己¹、水野琢央¹、アグルートバーダッド²、中島誠²、井ノ上泰輝¹、小林慶裕¹ (1.阪大院工、2.阪大レーザー研)

15:30 〜 15:45

△ [23p-B202-8] ナノ酸化グラフェンの誘電特性

〇(M1)野田将吾¹、酒井啓行¹、小谷真弘¹、南瀬颯¹、清藤亮¹、藤本颯太¹、安永光¹、李想¹、孫勇¹ (1.九工大)

15:45 〜 16:00

[23p-B202-9] ナノ酸化グラフェンのAC特性評価

〇(B)酒井啓行¹、野田将吾¹、小谷真弘¹、南瀬颯¹、清藤亮¹、藤本颯太¹、安永光¹、李想¹、孫勇¹ (1.九州工業大学)

16:00 〜 16:15

[23p-B202-10] 窒素ドープ3Dグラフェンの電子状態と電気伝導特性

〇田邉洋一¹、伊藤良一²、菅原克明^3,4、 Samuel Jeong²、川田直諒¹、木村尚次郎⁵、 Aleman Christopher Florencio⁶、高橋隆⁴、陳明偉^4,6 (1.岡山理大理、2.筑波大数理物質、3.東北大理、4.東北大AIMR、5.東北大金研、6.ジョンズホプキンス大)

16:15 〜 16:30

[23p-B202-11] 支持基板表面修飾によるグラフェン上水吸着のカイネティクス制御

廣瀬巧武¹、〇野内亮^1,2 (1.大阪公立大工、2.JSTさきがけ)

16:30 〜 16:45

[23p-B202-12] 平坦バンドを有するゼロギャップ半導体の物質設計

〇岡田晋¹、溝口知成¹、高燕林¹、丸山実那¹、初貝安弘¹ (1.筑波大数理)

16:45 〜 17:00

[23p-B202-13] FePd/グラフェンのヘテロ界面の電子・磁気状態の第一原理計算

〇植本光治¹、安達隼人¹、永沼博²、新屋ひかり³、小野倫也¹ (1.神戸大工、2.東北大CIES・工・CSRN・CSIS、3.東北大RIEC)

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