[23p-B204-1~9] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[23p-B204-2] Electrical characteristics of Ge-doped GaN films deposited by low-temperature sputtering on N-polar surfaces

〇Shinji Yamada¹, Masanori Shirai², Hiroki Kobayashi², Ryuichiro Kamimura², Manabu Arai¹, Tetsu Kachi¹, Jun Suda¹ (1.Nagoya Univ., 2.ULVAC)

Keywords:GaN, Sputtering, Electrical characteristics

GaN縦型パワーデバイスの裏面コンタクト抵抗の低減に向けて、窒素(N)極性面GaN基板上への高濃度n型GaNスパッタ膜形成技術の開発を行っている。一般的に、GaNのn型ドーパントはSiやGeが用いられるが、Geの方がより高濃度添加が可能である。本発表では、デバイスプロセスに適用可能な低温成膜Ge添加GaNスパッタ膜を検討し、その表面形態や電気的特性の評価を行ったので、報告する。