[23p-C102-1~14] 13.3 絶縁膜技術

[23p-C102-10] GeO2膜質及びGeO2/Ge界面特性改善に有効なPMA金属種の検討

〇結解 あかり¹、菅野 航太¹、松浦 空吾¹、岩崎 好孝¹、上野 智雄¹ (1.農工大院工)

キーワード：半導体