[23p-C102-1~14] 13.3 絶縁膜技術

[23p-C102-11] GeO2/Ge界面におけるPost Metallization Annealingの導入

〇松浦 空吾¹、菅野 航太¹、結解 あかり¹、岩崎 好孝¹、上野 智雄¹ (1.農工大院工)

キーワード：半導体