[23p-C102-1~14] 13.3 絶縁膜技術

[23p-C102-2] LPCVD SiN膜の絶縁破壊特性に及ぼす下地Siアニールの影響

〇宮川 勇人¹、文谷 公亮¹、栗田 久嗣²、中村 真貴²、神垣 良昭³ (1.香川大創造工、2.ローム浜松、3.EBL)

キーワード：窒化膜、絶縁破壊頻度、シリコン熱処理

LP-CVD成膜のSiN膜の耐圧不良（絶縁破壊）の主たる原因が下地酸化膜の構造と酸素の挙動にあることが電子スピン共鳴（ESR）法の点欠陥の種類の特定により判明したものの、界面付近の凹凸構造や結晶歪の状態との関連は不明であった。今回より詳しい機構解明に向け、アニール後のSi界面についてAFM（原子間力顕微鏡）、TEM（透過型電子顕微鏡）、SEM（走査型電子顕微鏡）によるの直接観測を行い、構造の差異と絶縁破壊頻度（Qbd）との相関が見られたので報告する。