The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022

Presentation information

Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[23p-C200-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

Fri. Sep 23, 2022 1:30 PM - 4:30 PM C200 (C200)

Ryota Ishii(Kyoto Univ.), Jun Tatebayashi(Osaka Univ.)

1:30 PM - 1:45 PM

[23p-C200-1] Luminescence properties of orderd InGaN/GaN nanocolumns on top-down nanotemplate for improving luminescence color purity

Shunsuke Kudo1, Kenya Yoshimura1, Koji Takahashi1, Jumpei Yamada2, Rie Togashi1,2, Ichirou Nomura1,2, Katsumi Kishino2 (1.Sophia Univ., 2.Sophia Nanotech.)

Keywords:nanocolumns, luminescence color purity

InGaN/GaNナノコラムは格子歪の緩和効果、貫通転位のフィルタリング効果によって高効率化しうる。InGaN成長の下地ナノコラムトップ角度を小さくするよう制御することで発光スペクトルの純色性が改善されたため、平坦トップ形状を有するナノピラー形状をエッチングで作製し、ナノテンプレートとして選択成長を行い、異なるInGaN成長時間におけるPL発光特性のコラム周期依存性の検討を行なった。