[23p-C200-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [23p-C200-2] Red emission properties of InGaN/GaN Nanocolumns grown by nanotemplate selective area growth for application to μ-LEDs

〇Kenya Yoshimura¹, Koji Takahashi¹, Shunsuke Kudo¹, Jumpei Yamada², Ai Mizuno², Rie Togashi^1,2, Ichirou Nomura^1,2, Katsumi Kishino² (1.Sophia Univ., 2.Sophia Nanotech.)

Keywords:nanocolumn, InGaN, MBE

本研究ではInGaN/GaNナノコラムを用いたμ-LEDの応用展開に向け、In組成の大きい赤色領域に着目し、高い発光スペクトル純度と強度を得るため、ナノテンプレート選択成長法によりMBEにて成長した薄膜InGaN活性層の発光特性を検討した。室温フォトルミネッセンスにおける発光特性ではIn組成のばらつきが抑制され、また歪み緩和効果が十分作用するナノコラム径において赤色域の単峰性発光が得られた。