[23p-C200-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [23p-C200-4] Control of the emitting plane of GaInN/GaN quantum-shell LEDs

〇(M1)Souma Inaba¹, Weifang Lu², Sae Katsuro¹, Nanami Nakayama¹, Ayaka Shima¹, Yukimi Jinno¹, Siori Yamamura¹, Siori Ii¹, Mizuki Takahashi¹, Yuki Yamamura¹, Satoshi Kamiyama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Motoaki Iwaya¹ (1.Meijou Univ., 2.Xiamen Univ.)

Keywords:semiconductor, nitride, nanowire

量子殻LEDは非極性(1-100)面及び半極性 (1-101)面の活性層を用いることでピエゾ電界を0または極性(0001)面の1/3に低減することができるため、発光効率向上が期待されている。本研究では(1-100)面・(1-101)面の発光制御を目的とし、p-GaNの成長時間及びITOの成膜時間がデバイスに与える影響を調査した。p-GaNの成長時間を短くすることで光出力は1.2倍向上した。