The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022

Presentation information

Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[23p-C200-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

Fri. Sep 23, 2022 1:30 PM - 4:30 PM C200 (C200)

Ryota Ishii(Kyoto Univ.), Jun Tatebayashi(Osaka Univ.)

2:30 PM - 2:45 PM

[23p-C200-5] Investigation of external quantum efficiency in GaInN-based micro-LEDs with different emission wavelengths and diameters

〇(M1)Tatsunari Saito1, Yuta Imaizumi1, Tsuyoshi Nagawasa1, Yoshinobu Suehiro1, Norikatsu Koide1, Motoaki Iwaya1, Tetsuya Takeuchi1, Satoshi Kamiyama1 (1.Meijo Univ.)

Keywords:micro LED, semiconductor, nitride

GaInN系マイクロLEDは液晶,有機ELに次ぐ次世代ディスプレイに応用が期待されている.本研究では,青色および緑色LEDのGaInN系マイクロLEDにおける外部量子効率(EQE)の発光径の依存性を評価した.その結果,青色と緑色LEDでは異なる特性が確認されたため報告する.