[23p-C200-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [23p-C200-7] Eu添加GaN下地層の導入による (20-21)GaNテンプレート上InGaN量子井戸の表面平坦化と発光特性評価

〇竹尾 敦志¹、市川 修平^1,2、舘林 潤¹、藤原 康文¹ (1.阪大院工、2.阪大超高圧電顕センター)

キーワード：半導体、半極性、希土類

半極性面上のGaN結晶成長時には、表面にファセット構造が容易に形成されることが知られており、面内均一性の向上にはマクロファセットを抑制する必要がある。本研究では、(20-21) GaN成長時において、Eu添加GaN層導入による成長様式の変化と、表面平坦化の効果について検討した。その結果、Eu添加GaN層成膜時にファセットの形成が劇的に抑制され、その上部に成膜したInGaN量子井戸層の発光エネルギーの面内均一性が向上することを見出した。