[22a-E105-1~7] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[22a-E105-2] Nonradiative Recombination Mapping of Contaminated Si Using Laser Heterodyne Photothermal Displacement Method

〇Tomoki Harada^1,2, Yuki Arata¹, Kosuke Morita¹, Tetsuo Ikari¹, Atsuhiko Fukuyama¹ (1.Univ. of Miyazaki, 2.JSPS Research Fellow)

Keywords:semiconductor, Photothermal method, defect inspection

非発光再結合中心の分布を観測するため、干渉計により熱膨張変位を観測する光ヘテロダイン光熱変位法を開発した。XYステージの制御によりマッピング測定が可能である。本報告ではSi基板上に三角形の鉄板を置き、アニールして重金属汚染させたSiを測定した。三角形の模様を変位量の差として観測でき、その大きさと位置が鉄板を置いた位置と一致したため光ヘテロダイン光熱変位法は高感度に再結合中心の分布を観測できることがわかった。