09:00 〜 09:15
[22a-E302-1] HEMTの出力アドミッタンスのシミュレーション
キーワード:GaN HEMT、デバイスシミュレーション、トラップ準位
自動微分機能を備えたデバイスシミュレータに半導体の基本方程式とトラップのレート方程式をカップルして組み込み、GaN HEMTの出力アドミッタンスのシミュレーションにおいて自己無撞着な解が安定して得られた。
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価
2022年3月22日(火) 09:00 〜 12:15 E302 (E302)
牧山 剛三(住友電工)
09:00 〜 09:15
キーワード:GaN HEMT、デバイスシミュレーション、トラップ準位