[22a-E302-1~12] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

△ [22a-E302-7] Multi-probe Hall measurements of AlGaN/GaN heterostructures under Ohmic-metals

〇kazuya Uryu^1,2, Shota Kiuch¹, Taku Sato², Toshi-kazu Suzuki¹ (1.JAIST, 2.ATL)

Keywords:AlGaN/GaN heterostructure, Ohmic contact, multi-probe Hall measurement

AlGaN/GaN ヘテロ構造に対するオーミック接触は, 金属堆積とアニールにより形成される. このとき, オーミック金属下AlGaN/GaNヘテロ構造の電気的特性はオーミック接触形成前から変化していると考えられる. 本研究では多端子ホール素子を用いて, オーミック金属下AlGaN/GaN ヘテロ構造の多端子ホール測定を行い, シート抵抗, シート電子密度, 移動度をすべて評価した.