[22a-E302-1~12] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [22a-E302-7] オーミック金属下AlGaN/GaNヘテロ構造の多端子ホール測定

〇瓜生 和也^1,2、木内 翔太¹、佐藤 拓²、鈴木 寿一¹ (1.北陸先端大、2.アドバンテスト研究所)

キーワード：AlGaN/GaNヘテロ構造、オーミックコンタクト、多端子ホール測定

AlGaN/GaN ヘテロ構造に対するオーミック接触は, 金属堆積とアニールにより形成される. このとき, オーミック金属下AlGaN/GaNヘテロ構造の電気的特性はオーミック接触形成前から変化していると考えられる. 本研究では多端子ホール素子を用いて, オーミック金属下AlGaN/GaN ヘテロ構造の多端子ホール測定を行い, シート抵抗, シート電子密度, 移動度をすべて評価した.