The 69th JSAP Spring Meeting 2022

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[22p-D316-1~16] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

Tue. Mar 22, 2022 1:00 PM - 5:15 PM D316 (D316)

Yasushi Nanai(National Defense Academy), Jun Tatebayashi(Osaka Univ.)

2:30 PM - 2:45 PM

[22p-D316-7] The influence of Eu3+ site distribution for photoluminescence properties in Sr2CaWO6:Eu3+

〇(DC)Takahito Otsuka1, Tomokatsu Hayakawa1,2 (1.Nagoya Inst. Tech., 2.FRIMS)

Keywords:Phosphor, Quantum efficiency, FLN technique

Eu3+添加ダブルペロブスカイト型蛍光体は,発光中心であるEu3+がA(12配位),B サイト(6 配位)どちらも占有し,サイト毎に異なる発光特性を示す興味深い材料である.つまり,Eu3+のサイト毎の発光特性とサイトへの分布を調査,制御することが,高性能な蛍光体開発では重要である.本研究では,ダブルペロブスカイト型結晶であるSr2CaWO6にEu3+と共に電荷補償イオンとしてNa+を添加し,Sr/Ca 比,(Eu3+,Na+)濃度の違いによるA,BサイトへのEu3+分布の変化と,そのEu3+分布が量子効率に与える影響について調査した.