[22p-E302-1~15] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

△ [22p-E302-14] 4H-SiCショットキーpnダイオードの導電機構解析

〇(B)森 海斗¹、亀和田 亮¹、岩室 憲幸¹、矢野 裕司¹ (1.筑波大学)

キーワード：SPND、空間電荷制限電流、デバイスシミュレーション

SiC-SPNDはSchottky接合とpn接合を直列に有するダイオードであり、高速動作でありながら低抵抗であることが報告されている。しかし、我々は、TCADシミュレーションを用いた解析でSiC-SPNDはSBDより高抵抗であることを示し、ドリフト層のキャリア密度が小さいためであると明らかにした。本研究で動作機構を詳細に解析したところ、SiC-SPNDの導電機構は空間電荷に制限されるモデルで説明でき、高耐圧デバイスで抵抗が大きくなりやすいことを示した。