[23a-E302-1~11] CS.9 Code-sharing Session of 13.7 & 15.6

[23a-E302-8] Vertical GaN p-n junction diode grown by halide vapor phase epitaxy

〇Kazuki Ohnishi¹, Seiya Kawasaki¹, Naoki Fujimoto², Shugo Nitta², Hirotaka Watanabe², Yoshio Honda², Hiroshi Amano^2,3,4 (1.Dept. of Elec., Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ., 3.ARC, Nagoya Univ., 4.VBL, Nagoya Univ.)

Keywords:Gallium Nitride, p-n junction diode, HVPE

縦型GaNパワーデバイス構造の成長手法として高純度なGaNが高速成長できるハライド気相成長（HVPE）法が注目を浴びている。しかしながら, HVPE法を用いた縦型GaNパワーデバイスの作製報告例は乏しく, 有機金属気相成長法が使用されているのが現状である。そこで, 本研究では, n型GaN自立基板上にHVPE法のみを用いてn型ドリフト層およびp型層を連続的に成長させ, アバランシェ降伏を示す縦型GaN p-n接合ダイオードを作製したので報告する。