[23a-F407-1~8] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[23a-F407-1] Improved crystallinity of GaPN alloys by antimony surfactant

〇Masashi Hikosaka¹, Keisuke Yamane¹, Ryosuke Iwatsuchi¹, Kento Hirai¹, Akihiro Wakahara¹ (1.Toyohashi Tech.)

Keywords:crystal engineering

Ⅲ-Ⅴ-N混晶は窒素(N)組成を制御することで格子定数とバンドギャップを調整することが可能であり，その中でGaAsPNはSiと格子整合する条件で太陽光スペクトルとマッチするため，Ⅲ-Ⅴ/Si多接合太陽電池への応用が期待できる。本講演ではGaAsPN太陽電池応用に向けて，その母材となるGaPN混晶の結晶成長時のアンチモン(Sb)供給による結晶性改善効果について紹介する．