[23a-F407-1~8] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[23a-F407-8] Control of the quantum structure by the thickness of GaAs spacer layer during submonolayer stack growth

〇Haruto Okuizumi¹, Ronel Roca¹, Itaru Kamiya¹ (1.Toyota Technological Institute)

Keywords:submonolayer, GaAs

Stranski-Krastanov (SK) 成長を用いてGaAs 上に形成されるIn(Ga)As 量子ドット(QD)の デバイス応用への研究は既に盛んに行われている．一方，GaAs 上に InAs ナノ構造体を形成する新 たな成長法の一つに, 原子層未満のInAs と数原子層のGaAs の交互積層を行うサブモノレイヤー(SML) 成長法があり，各々の層の堆積量によるInAs QD と量子ディスク(QDc)を作り分けが報告されている． 本研究では，InAs/GaAs の SML 成長時に2 次元・3 次元の量子構造の作り分けと、その機構解明・制 御のため，１サイクル当のInAs 堆積量固定の下、GaAs スペーサー層膜厚の依存性を検討した.