[23p-D113-1~19] 1.6 Ultrasonics

△ [23p-D113-14] Polarity control of AlN films by Ge doping and application for high order mode film BAW resonators

〇Jun Sekimoto¹, Masashi Suzuki¹, Shoji Kakio¹ (1.Univ. Yamanashi)

Keywords:Aluminum nitride film, polarity control, polarity inverted film

窒化アルミニウム(AlN)薄膜にGeを添加することによりAlN薄膜の極性制御が可能なことが知られている。しかし電気機械結合係数(k_t²)の評価や3層以上の極性反転構造の作製報告がない。そこで、GeAlN薄膜音響共振子を作製し、k_t²の評価を行った。さらに、3.4GHz で共振する8層GeAlN/AlN極性反転構造音響共振子を作製した。作製した共振子は8次モードで共振し、極性反転構造薄膜音響共振子の特徴である大きな圧電膜を持つことを確認した。