[23p-E204-1~13] 6.3 Oxide electronics

[23p-E204-11] Thermal stress effects on local electronic properties on N-type β-Ga₂O₃ crystals in contact with Multilayer electrode film by micro-Raman spectroscopy at high temperature

〇Ryoya Kakamu¹, Yu Torimoto¹, Jun Suda¹ (1.Chukyo Univ)

Keywords:Widegap oxide semiconductors, Thermal stress, Micro-Raman spectroscopy

β-Ga₂O₃は、大きなバンドギャップ、高絶縁破壊電界に基づく大きな可能性があり、最近注目されている。本研究では、n型β-Ga₂O₃結晶の熱応力特性と高温電子物性を非破壊で求めることを目的とし、3Dラマン分光法を用いて室温から200℃のラマンスペクトルを測定した。得られた熱応力分布は、FEMの解析結果と定性的に一致することがわかった。誘電分散によるスペクトル解析をした結果、電極近傍と遠方では電子密度が異なることがわかった。