[23p-E302-1~18] CS.9 Code-sharing Session of 13.7 & 15.6

△ [23p-E302-11] Origin of peak observed in reverse current-voltage characteristics of homoepitaxial GaN pn junction diodes

〇Takuto Ohashi¹, Masakazu Kanechika², Takeshi Kondo², Tsutomu Uesugi², Kazuyoshi Tomita², Masahiro Horita^1,2, Jun Suda^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS Nagoya Univ.)

Keywords:defect

縦型GaNパワーデバイスは次世代パワーデバイスとして研究が進んでいる．その構成要素であるpn接合の特性を把握・理解することは重要である．我々はホモエピタキシャル成長GaN pn接合ダイオードの逆方向電流-電圧特性において，特異なピークとヒステリシスを観測した．その起源について詳しく調べたので報告する．