[23p-E302-1~18] CS.9 Code-sharing Session of 13.7 & 15.6

△ [23p-E302-5] Threshold voltage control of p-type gate AlGaN/GaN HEMT using Mg diffusion by UHPA

〇Shunpei Yamashita¹, Hirotaka Watanabe², Yuto Ando², Atsushi Tanaka², Manato Deki^1,3, Shugo Nitta², Yoshio Honda², Michal Bockowski^2,5, Tetsu Kachi², Hiroshi Amano^2,3,4 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS Ngoya Univ., 3.Nagoya VBL, 4.Nagoya ARC, 5.UNIPRESS)

Keywords:GaN

AlGaN/GaN HEMTは2DEGをチャネルとして利用するため低損失なデバイスが実現できるが，ノーマリーオフ化が困難である．ノーマリーオフ動作実現の報告例としてリセス構造を形成し，リセス部にp型窒化ガリウムを再成長させたものがあるが, より簡単なプロセスでp型ゲートを形成する方法として超高圧アニール(UHPA)によるMg拡散に着目した．本研究ではUHPAによりp-GaN中のMgをAlGaN層に局所的に拡散させることでp型ゲートAlGaN/GaN HEMTの閾値電圧制御を試みた.