[23p-E302-1~18] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[23p-E302-9] 順方向電流ストレスによるGaN p-n接合の逆方向リーク電流の増加

〇成田 哲生¹、長里 喜隆²、兼近 将一³、近藤 健³、上杉 勉³、冨田 一義³、池田 智史²、山口 聡¹、木本 康司¹、小嵜 正芳⁴、岡 徹⁴、小島 淳³、須田 淳³ (1.豊田中研、2.ﾐﾗｲｽﾞ・ﾃｸﾉﾛｼﾞｰｽﾞ、3.名古屋大、4.豊田合成)

キーワード：窒化物半導体、p-n接合、パワーデバイス

逆方向電圧および順方向電流ストレスがGaN p-n接合の電気特性に与える影響を調査した。逆バイアス保持試験に対して、GaN p-n接合は高い安定性を示した。一方、順方向通電を長時間行うと、一部の素子で逆方向リーク電流の増加がみられた。順方向通電によるリーク電流パスは特定の貫通転位で形成されることが分かった。