[23p-E307-1~20] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[23p-E307-19] Direct observation of electron capture processes in amphoteric defect states achieved by charge pumping in individual defects at MOS interface (2) -Acceptorlike states-

〇Toshiaki Tsuchiya¹, Masahiro Hori¹, Yukinori Ono¹ (1.Shizuoka Univ.)

Keywords:MOS interface, amphoteric defects, electron capture processes

両性界面欠陥における電子捕獲の挙動を明らかにするため，まずは単純な素過程の一つ，Acceptorlike準位における伝導帯電子の捕獲過程を取り上げる．この目的のために，Donorlike準位への伝導帯電子の捕獲過程を排除できる欠陥を選択した．講演では，評価法を述べると共に，3つの試料から得た捕獲時定数（56±4 ns）を示す．これらの値がほぼ同一であることの物理的意味については次の講演で述べる．