[23p-P12-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[23p-P12-12] Cu添加Cu₂O粉末ターゲットを用いた配向Cu₂O薄膜の作製

〇(M1)吉田 朱里¹、鬼塚 遼平¹、近藤 和¹、山田 容士¹、舩木 修平¹、葉 文昌¹ (1.島根大自然)

キーワード：Cu2O、半導体、薄膜

Cu₂Oはバンドギャップ2.1 eVの透明な直接遷移型半導体であり、安価で無毒な太陽電池材料として注目されている。本研究では、Cu添加Cu₂O粉末ターゲットを用いて低スパッタ圧力で成膜すると、室温において結晶性の良いCu₂O配向膜が得られることが分かった。また、このCu₂O膜は透過性を有していた。さらに、p型Cu₂O膜とn型半導体ZnOを接合したZnO/Cu₂O積層膜において整流性が得られたことから、pn接合が作製されていることを確認した。