[24a-E103-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[24a-E103-1] ミニマルファブSOI NMOSの線形領域の抵抗異常
原因究明と対策

〇浜本 毅司¹、佐藤 和重²、クンプアン ソマワン²、原 史朗² (1.ミニマルファブ、2.産総研)

キーワード：SOI、MOSFET

ミニマルファブは多品種少量生産をターゲットとした生産システムである。今後は、PDK(Process Design Kit)を作成し、広範なユーザー設計に基づいた回路動作に対応すべく、MOSFETの動作精度向上、プロセスロバスト性確保に注力する段階となっている。原理試作レベルからこの実用構造とその開発を進めている段階においては、トランジスタの寄生抵抗をトランジスタ特性上問題ないレベルまで下げる必要がある。本稿では、寄生抵抗の解析と低減方法を述べる。