[24a-E103-1~13] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[24a-E103-10] Development of TSV Electroplating Process using Minimal TSV Electroplating Tool

〇Kayo Kamasaki¹, Shinji Iseki¹, Fumito Imura², Hiroyuki Tanaka², Kouji Oosawa³, Takurou Kouno³, Kenzo Shodo³, Yasuo Terasawa³, Sommawan Khumpuang^2,4, Shiro Hara^2,4 (1.Kumamotobosei, 2.AIST, 3.NIDEK, 4.MINIMAL)

Keywords:3D IC, TSV, Plating

ミニマルファブにおいて、3次元集積チップの実現のために、ミニマルTSVめっき装置を開発した。これまで、ミニマルBGAパッケージのCu再配線RDL形成用のめっき装置については、レーザビア内へのコンフォーマル成膜の結果について応物発表してきた。今回、TSVめっきプロセスでの電流印加条件の違いについて評価を行ったので、報告する。