[24a-E103-1~13] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[24a-E103-9] Development of Process for Through Silicon Vias (TSVs) Fabricated by Minimal Fab

〇Fumito Imura¹, Hiroyuki Tanaka¹, Kouji Oosawa², Takurou Kouno², Kenzo Shodo², Yasuo Terasawa², Sommawan Khumpuang^1,3, Shiro Hara^1,3 (1.AIST, 2.NIDEK, 3.MINIMAL)

Keywords:Minimal Fab, 3D IC, TSV

近年、3次元積層チップの研究開発が広く進められている。この3次元積層チップ間は、シリコン貫通電極(TSV: Through Si Via)で電気的に接続される。これまでに、ミニマルファブでは、ミニマルSi深掘り(DRIE)装置を開発し、Siエッチング側面が滑らかなスキャロップフリーのプロセス技術が開発されている。そこで、今回は、このスキャロップフリーボッシュプロセスを用いたTSV形成プロセスを開発したので、それについて報告する。