[24a-E103-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[24a-E103-13] ミニマル水プラズマアッシングを用いた多層配線プロセスの検討

〇三浦 典子^1,2、加瀬 雅³、相澤 洸^2,4、野川 満徳²、大西 康弘²、石島 達夫⁴、クンプアン ソマワン^1,3、原 史朗^1,3 (1.ミニマルファブ推進機構、2.米倉製作所、3.産総研、4.金沢大学)

キーワード：ミニマルファブ、レジスト除去プロセス、プラズマプロセス

ミニマルファブにおける新規のレジスト除去プロセスとして、低環境負荷でレジスト除去速度の速い「水プラズマアッシング技術」を開発している。本研究では、水プラズマアッシングプロセスの実用性評価のため、多層配線工程に組み込んで配線抵抗特性を評価したので、その結果について報告する。