[24a-E103-1~13] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[24a-E103-3] Evaluation of Variation in Sheet Resistance of nMOSFET using Minimal-Fab Spin-on Dopant Process

〇Shuhei Nakamichi¹, Hiroshige Kogayu¹, Noriko Miura¹, Hiroyuki Tanaka², Fumito Imura², Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.MinimalFab, 2.AIST)

Keywords:minimalFab, SOD Coat, Spin-coater

SODプロセスを集積回路などの実用用途に用いる場合、SOD材料では溶媒中で溶質を均一
にウェハコーティングするために、以下の問題が顕在化する。 (1)コーティングの面内
均一性、(2)ウェハエッジ部に発生するエッジビード、(3)裏面への塗布薬剤の回り込み
である。今回、これらの課題を克服する塗布プロセスを開発した。その成果を使いnMOS
FETの評価用サンプルを作製し、ウェハ面内の電気的特性のばらつきを評価した。