2022年第69回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[24a-E103-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2022年3月24日(木) 09:00 〜 12:30 E103 (E103)

角嶋 邦之(東工大)、岡田 竜弥(琉球大)

09:30 〜 09:45

[24a-E103-3] ミニマル液体ドーパント・プロセスを用いたnMOSFETのシート抵抗のばらつき評価

〇中道 修平1、小粥 敬成1、三浦 典子1、田中 宏幸2、居村 史人2、クンプアン ソマワン1,2、原 史朗1,2 (1.ミニマルファブ、2.産総研)

キーワード:ミニマルファブ、SODコート、スピンコーター

SODプロセスを集積回路などの実用用途に用いる場合、SOD材料では溶媒中で溶質を均一
にウェハコーティングするために、以下の問題が顕在化する。 (1)コーティングの面内
均一性、(2)ウェハエッジ部に発生するエッジビード、(3)裏面への塗布薬剤の回り込み
である。今回、これらの課題を克服する塗布プロセスを開発した。その成果を使いnMOS
FETの評価用サンプルを作製し、ウェハ面内の電気的特性のばらつきを評価した。