[24a-E103-1~13] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[24a-E103-4] Development of process technology for diamond device using Minimal fab

〇Hideyuki Watanabe¹, Kazumasa Nemoto¹, Fumito Imura¹, Noriko Miura², Takashi Yajima¹, Shuichi Noda¹, Hitoshi Umezawa¹, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL)

Keywords:diamond, CMP, Schottky barrier diode

我々は、ダイヤモンド単結晶に適した小口径ウエハ(φ12.5mm)が利用可能なミニマルファブを使ったダイヤモンドデバイスのためのプロセス技術開発に着手している。今回我々は、我々が提案している化学機械研磨(CMP)洗浄工程を、半導体層作製前のウエハ表面にも適用し、さらに、高純度高品質のノンドープエピタキシャル薄膜をバッファ層として導入し、ショットキーバリアダイオード(SBD)の試作と評価を行ったので報告する。