[24a-E103-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[24a-E103-4] ミニマルファブによるダイヤモンドデバイスのためのプロセス技術開発

〇渡辺 幸志¹、根本 一正¹、居村 史人¹、三浦 典子²、谷島 孝¹、野田 周一¹、梅澤 仁¹、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産業技術総合研究所、2.ミニマルファブ推進機構)

キーワード：ダイヤモンド、化学機械研磨、ショットキーバリアダイオード

我々は、ダイヤモンド単結晶に適した小口径ウエハ(φ12.5mm)が利用可能なミニマルファブを使ったダイヤモンドデバイスのためのプロセス技術開発に着手している。今回我々は、我々が提案している化学機械研磨(CMP)洗浄工程を、半導体層作製前のウエハ表面にも適用し、さらに、高純度高品質のノンドープエピタキシャル薄膜をバッファ層として導入し、ショットキーバリアダイオード(SBD)の試作と評価を行ったので報告する。