2022年第69回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[24a-E103-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2022年3月24日(木) 09:00 〜 12:30 E103 (E103)

角嶋 邦之(東工大)、岡田 竜弥(琉球大)

10:00 〜 10:15

[24a-E103-5] Bosch Processにおけるガス置換インターバル時間の研究

〇田中 宏幸1、李 相錫2、野沢 善幸3、速水 利泰3、クンプアン ソマワン1,4、原 史朗1,4 (1.産総研、2.鳥取大学、3.SPPテクノロジーズ、4.ミニマルファブ推進機構)

キーワード:ボッシュ、ミニマル、深掘り

ボッシュプロセスで垂直深掘りエッチングを行うには、デポとエッチングのバランスを保つことが重要である。これらは、それぞれ確実に行われることが望ましい。そこで、デポとエッチング工程にインターバルを設けてそれぞれの工程がより着実に行われるようなステップを組んでみたところ、インターバル時間を僅かに変更しただけでエッチング形状に大きな差異が発生した。これらエッチングメカニズムの解析を行ったので報告する。