2022年第69回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[24a-E103-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2022年3月24日(木) 09:00 〜 12:30 E103 (E103)

角嶋 邦之(東工大)、岡田 竜弥(琉球大)

10:30 〜 10:45

[24a-E103-7] ミニマルウエハの個片化技術

〇谷島 孝1、居村 史人1、クンプアン ソマワン1,2、原 史朗1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ)

キーワード:ミニマルファブ

ミニマルファブではΦ12.5mmのウエハをそのままパッケージする、前後工程統一システムを創出しているが、同じサイズの複数素子を個片化する場合もある。大口径ウエハでは、個片化をDBG(Dicing Before Grinding)プロセスで行った場合、ウエハ裏面のチッピングを小さくできるが、ミニマルDBG装置群を使用して、ウエハを個片化した場合でも、裏面のチッピングが大幅に改善されることが分かった。