[24a-E202-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [24a-E202-8] 特異的に大きなリーク電流を生じたGaN基板中b=1cらせん転位におけるショットキー接触のI-V-T特性解析

〇濱地 威明¹、藤平 哲也¹、林 侑介¹、宇佐美 茂佳²、今西 正幸²、森 勇介²、酒井 朗¹ (1.阪大院基礎工、2.阪大院工)

キーワード：窒化ガリウム、貫通転位、リーク電流伝導機構